接觸式：４探針法測定-RT70V系列

在這里，我們將介紹接觸式電阻測量原理的概述（4探針法）（該原理的詳細說明在材料中）。

（*對于我們的產品，還有一個系統(tǒng)會根據電阻范圍使用不同的測量方法。）

四探針法主要用于接觸式情況，可以測量1E-3（1m）到1E + 9（1G）Ω/□電阻范圍。

這種測量方法是在廣泛領域中測量電阻的基礎。

●在四探針法中，將按照以下步驟進行測量。

（1）將四個針狀電極直線地放在測量樣品上。

（2）兩個外部探頭之間流過恒定電流。

（3）通過測量兩個內部探針之間的電位差來計算電阻。

如下圖所示，相同的測量原理用于電阻和薄層電阻的測量。 

電阻（電阻率）

座阻力

我們的4探針測量系統(tǒng)是符合JIS和ASTM標準的測量方法和校正方法，已被用作行業(yè)標準測量系統(tǒng)，尤其受到硅相關用戶的信賴。我會。

另外，關于可追溯性，我們使用符合NIST（美國國家標準技術研究院）標準的標準樣品作為設備校準標準，進行認真的裝運前檢驗。

* 4探針法和“ 4端子法”的測量原理相同，唯1的不同是與樣品接觸的電極部分的形狀不同。4探針的針距為1 mm =測量點：大約3 mm，與4端子探針相比，可以在非常小的點上進行測量。另外，如在四端子法中一樣，通過消除在樣品上形成電極的需要可以提高工作效率。

此外，納普森的4針電阻測量設備符合日本工業(yè)標準（JIS）和美國材料測試協(xié)會（ASTM）設定的以下標準。

日本工業(yè)標準

JIS H 0602-1995

硅單晶和硅晶片的四探針法電阻測量方法

JIS K 7194-1994

導電塑料四探針法電阻測試方法

美國材料試驗學會

ASTM F 84-99（SEMI MF84）

用在線四點探針測量硅晶片電阻率的標準測試方法

ASTM F 374-00a

使用單配置程序的在線四點探針對硅外延層，擴散層，多晶硅層和離子注入層的薄層電阻的標準測試方法

ASTM F 390-11

帶共線四探針陣列的金屬薄膜的薄層電阻的標準測試方法

ASTM F 1529-97

雙重配置程序的直插式四點探針的薄層電阻均勻性評估的標準測試方法

日本napson4探針法測量儀

測量儀：RT-70V>

• 使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測試儀），易于操作
• 自檢功能，自動量程切換，4種測量模式
• 具有厚度/溫度補償功能（用于硅）

<測量階段>

*根據目的和用途，可以從以下選擇測量階段。

• （1）RG-7C  [產品圖片左上]：電機自動上下探針臺
• （2）RG-5   [產品圖像左下方] ：帶手動手柄的探針上下平臺
• （3）RG-7S [產品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺 
• （4）TS-7D [產品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺板是可選的。

測量規(guī)格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣本
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯系）

測量尺寸

*組合測量取決于舞臺類型。

圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。

測量范圍

［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm 
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq

測量儀：RT-70V>

• 使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測試儀），易于操作
• 自檢功能，自動量程切換，4種測量模式
• 具有厚度/溫度補償功能（用于硅）

<測量階段>

*根據目的和用途，可以從以下選擇測量階段。

• （1）RG-7C  [產品圖片左上]：電機自動上下探針臺
• （2）RG-5   [產品圖像左下方] ：帶手動手柄的探針上下平臺
• （3）RG-7S [產品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺 
• （4）TS-7D [產品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺板是可選的。

測量規(guī)格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣本
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯系）

測量尺寸

*組合測量取決于舞臺類型。

圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。

測量范圍

［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm 
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq

日本napson4探針法測量儀