日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸式電阻測(cè)量?jī)x

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測(cè)量范圍

[電阻率] 1 m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

帶有手持式探頭的手動(dòng)無(wú)損（渦流法）電阻測(cè)量?jī)x

產(chǎn)品名稱：EC-80P（便攜式）

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 電阻可以通過(guò)簡(jiǎn)單地接觸手持式探頭來(lái)測(cè)量。
• 在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
• 通過(guò)JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
• 可更換的電阻測(cè)量探頭，帶連接器，適用于寬電阻范圍
• （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品的大小和形狀如何，都可以進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí)）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10-1000Ω/□（0.5-60Ω-cm）
（4）S-高：1000-3000Ω/□（60-200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5-500Ω /□（0。 2?15Ω-cm）

傳單

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非接觸式（渦流法）電阻率/薄層電阻測(cè)量?jī)x，可通過(guò)個(gè)人計(jì)算機(jī)輕松操作

產(chǎn)品名稱：NC-10（NC-20）

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 通過(guò)PC節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
• 非接觸式渦流方法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損測(cè)量
• 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此您可以輕松地為每個(gè)范圍的探頭更換它。
• （*第二和后續(xù)電阻探頭可選）
• 中心1點(diǎn)測(cè)量
• 厚度/溫度校正功能（硅晶片）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
 硅基外延離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）

測(cè)量尺寸

3至8英寸，?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸，?210 x 210毫米）

測(cè)量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí)）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

DUORES手持式薄層電阻測(cè)量?jī)x（2個(gè)探頭更換用[接觸型和無(wú)損測(cè)量探頭]）

產(chǎn)品名稱：DUORES

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

易于攜帶和測(cè)量的手持式薄層電阻測(cè)量裝置：DUORES

可以根據(jù)測(cè)量目標(biāo)交換和使用兩種類型的探頭（非破壞性/接觸式）

•世界上地衣臺(tái)可以更換和使用兩種類型的探頭（無(wú)損型，接觸型）的便捷型薄層電阻測(cè)量?jī)x • 
只需放置/應(yīng)用探頭即可自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量
•電池連續(xù)工作時(shí)間：24小時(shí)（*電池使用時(shí)）
•顯示數(shù)據(jù)項(xiàng)數(shù)：多100（*顯示醉心數(shù)據(jù)）

•保存的大數(shù)據(jù)數(shù)：50,000（*軟件顯示屏）
•測(cè)量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini 
•顯示：3個(gè)顯示單位（Ω/□，S /□，n / m [金屬膜厚度轉(zhuǎn)換]）， 4位浮點(diǎn)數(shù)（0.000至9999）

*僅出售身體+非破壞性探針，僅出售身體+接觸探針。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

薄膜，玻璃，紙材料等 
通常，可以在測(cè)量范圍內(nèi)測(cè)量任何樣品。
•薄膜材料（ITO，TCO等）
•低電子玻璃
•碳納米管，石墨烯材料
•金屬材料（納米線，網(wǎng)格，網(wǎng)格）
•其他

測(cè)量尺寸

無(wú)論尺寸和厚度如何，都可以進(jìn)行
測(cè)量（*每個(gè)探頭的測(cè)量點(diǎn)尺寸或更多）

<測(cè)量點(diǎn)>

?無(wú)損探棒（渦流型）：φ25mm

?接觸探針（4種探針）：9mm

測(cè)量范圍

?無(wú)損探棒（渦流方式）：0.5 -200Ω/ sq 
?接觸式探棒（4探針?lè)绞剑?.1 -4000Ω/ sq

傳單

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非接觸型（脈沖電壓激勵(lì)法）超低電阻量程電阻測(cè)量系統(tǒng)

商品名稱：PVE-80

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 非接觸式電阻測(cè)量系統(tǒng)，采用脈沖電壓激勵(lì)方法作為測(cè)量原理，可在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量

• 節(jié)省空間的車身外殼，便攜式可移動(dòng)臺(tái)

• 通過(guò)PC（軟件）輕松進(jìn)行測(cè)量操作和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)/管理

• 測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改

  *本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學(xué)共同開發(fā)的測(cè)量方法：脈沖電壓激勵(lì)法（篆隸號(hào)5386394）。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量對(duì)象

新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬，ITO等）
復(fù)合半導(dǎo)體（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*聯(lián)系我們請(qǐng)給我）

測(cè)量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測(cè)量范圍

50μ?1mΩ/平方

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日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸式電阻測(cè)量?jī)x