日本napson4探針法測量儀

日本napson4探針法測量儀

測量儀：RT-70V>

• 使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測試儀），易于操作
• 自檢功能，自動量程切換，4種測量模式
• 具有厚度/溫度補償功能（用于硅）

<測量階段>

*根據(jù)目的和用途，可以從以下選擇測量階段。

• （1）RG-7C  [產(chǎn)品圖片左上]：電機自動上下探針臺
• （2）RG-5   [產(chǎn)品圖像左下方] ：帶手動手柄的探針上下平臺
• （3）RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺 
• （4）TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺板是可選的。

測量規(guī)格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣本
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

*組合測量取決于舞臺類型。

圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。

測量范圍

［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm 
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq

測量儀：RT-70V>

• 使用JOG撥盤，厚度，溫度，PN輸入（RT-70V測試儀），易于操作
• 自檢功能，自動量程切換，4種測量模式
• 具有厚度/溫度補償功能（用于硅）

<測量階段>

*根據(jù)目的和用途，可以從以下選擇測量階段。

• （1）RG-7C  [產(chǎn)品圖片左上]：電機自動上下探針臺
• （2）RG-5   [產(chǎn)品圖像左下方] ：帶手動手柄的探針上下平臺
• （3）RG-7S [產(chǎn)品圖片右上]：用于玻璃基板/薄膜樣品的XY工作臺 
• （4）TS-7D [產(chǎn)品圖像右下] ：便捷的探頭類型*平臺板是可選的。

測量規(guī)格

測量目標

• 與半導體/太陽能電池相關的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
• 擴散樣本
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

*組合測量取決于舞臺類型。

圓形：?300mm（12英寸），方形：?730x920mm，可廣泛使用。

測量范圍

［電阻（電阻率）］1μ?300kΩ? cm 
［板電阻］ 5m?10MΩ/ sq

日本napson4探針法測量儀